干法刻蚀工艺高级工程师
英诺赛科(珠海)科技有限公司
- 公司规模:500-1000人
- 公司性质:合资
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2024-05-11
- 工作地点:珠海·珠海高新区
- 工作经验:1年及以上
- 学历要求:硕士
- 职位月薪:1.5-3万·14薪
- 职位类别:临床数据分析员 半导体技术
职位描述
岗位职责:
1. OXE group & ASH group capacity extend by recipe optimization
2. Process recipe & flow optimization to enlarge process window
3. Routine maintain to ensure PRD quality
任职要求:
1. 硕士及以上学历,具备半导体基础物理知识,如候选人经验丰富或特别优秀,学历要求可适当放宽;
2. 1年及以上干法刻蚀工艺工作经验,掌握干法刻蚀基本原理;
3. 具备数据分析能力。
1. OXE group & ASH group capacity extend by recipe optimization
2. Process recipe & flow optimization to enlarge process window
3. Routine maintain to ensure PRD quality
任职要求:
1. 硕士及以上学历,具备半导体基础物理知识,如候选人经验丰富或特别优秀,学历要求可适当放宽;
2. 1年及以上干法刻蚀工艺工作经验,掌握干法刻蚀基本原理;
3. 具备数据分析能力。
公司介绍
英诺赛科(珠海)科技有限公司一期项目坐落于珠海市国家高新区,拥有中国首条 8 英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线。
公司成立于 2015 年 12 月,由海归团队发起,主要业务为第三代半导体电力电子器件研发和生产。当前产品涵盖 30V-650V 氮化镓功率器件及 5G 射频器件,产品设计及性能均已达到国际先进水平。
此外,公司与欧洲微电子所(IMEC)、香港科技大学、电子科技大学等海内外科研机构、高 校已建立长期合作关系,在氮化镓外延生长、制造、可靠性、氮化镓器件与集成电路等领域持续开拓创新。
公司成立于 2015 年 12 月,由海归团队发起,主要业务为第三代半导体电力电子器件研发和生产。当前产品涵盖 30V-650V 氮化镓功率器件及 5G 射频器件,产品设计及性能均已达到国际先进水平。
此外,公司与欧洲微电子所(IMEC)、香港科技大学、电子科技大学等海内外科研机构、高 校已建立长期合作关系,在氮化镓外延生长、制造、可靠性、氮化镓器件与集成电路等领域持续开拓创新。
联系方式
- 公司地址:珠海市高新区金园二路39号