SiC晶圆研发高级工程师
湖南三安半导体有限责任公司
- 公司规模:1000-5000人
- 公司性质:民营公司
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2021-01-09
- 工作地点:长沙-岳麓区
- 招聘人数:若干人
- 工作经验:3-4年经验
- 学历要求:博士
- 语言要求:英语熟练
- 职位月薪:2-3万/月
- 职位类别:半导体技术
职位描述
岗位职责:
1、负责SiC晶圆技术文件制定、新技术的评估;
2、负责SiC晶圆新工艺的量产导入以及生产过程中的异常处理;
3、负责部门专利的攥写与论文发表;
4、负责新工艺晶圆良率的改善与提升。
岗位要求:
1、 博士以上学历,凝聚态物理、半导体物理、材料、物理、化学、微电子等相关专业。
2、 具有SiC衬底或其他材料衬底高精密加工处理的相关经验,三至五年以上经历。
3、 工作主动负责、英文交流顺畅,具备一定的培训技能。
4、 可独立完成任务、注重团队协作,具备一定的学习能力和自我管理能力。
5、 熟悉office, minitab…等数据分析软体操作。
6、 具有攥写与发表论文期刊与发明专利能力。
职能类别:半导体技术
公司介绍
湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司(独立核算),业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造、及服务。湖南三安项目总投资160亿,总占地面积1000亩,主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地,依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。第三代半导体的研发及产业化项目包括长晶(SiC)——衬底制作(SiC)——外延生长——芯片制备——封装产业链,研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET;大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片、GaN功率器件封装三极管。
联系方式
- 公司地址:地址:span长沙高新开发区岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房
- 电话:13378032180