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        西安交通大学宽禁带半导体材料与器件研究中心于2013年成立，是交大电子物理与器件教育部重点实验室下设的研究中心之一，中心融合西安交大相关研究基础，主要从事宽禁带半导体材料与器件研究与开发工作。
         中心主要研究方向包括：单晶金刚石量产技术研究；电子器件级单晶金刚石薄膜外延生长及其掺杂技术研究；金刚石基高频、高效大功率电子器件研发；MPCVD设备研发；2—8英寸多晶金刚石透明窗口材料的研发；氧化物宽禁带半导体材料与器件研究等。
        研究中心现有研究人员42人，其中院士1人，国家“***“特聘专家4人，教授9人，研究员2人，副教授16人，讲师8人，高级工程师3人，工程师4人。目前科研成果显著，正在逐步拓展并实施产业化。