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                                    沈阳拓荆科技有限公司
 
    沈阳拓荆科技有限公司成立于2010年4月，是由高层次外国专家团队和中科院所属企业共同发起成立的国家高新技术企业。2016年、2017年连续两年获评“中国半导体设备五强企业”，吸引了国家集成电路产业投资基金的战略投资。
    拓荆公司致力于研究和生产世界领先的薄膜设备，是国内***能够应用于大规模集成电路生产线的12英寸PECVD设备生产企业，现已形成12英寸PECVD（等离子体化学气相沉积设备）、ALD（原子层薄膜沉积设备）、3D NAND PECVD（三维结构闪存专用PECVD设备）三个完整系列产品，广泛应用于集成电路前道及后道、TSV封装、光波导、LED、3D -NAND闪存、OLED显示等高端技术领域。
    拓荆公司一直致力于集成电路高端装备创新，两次承担国家科技重大专项。“十一五”重大专项项目产品——12英寸PECVD设备各项工艺指标达到国际一流水平，产品已经实现量产。“十三五”重大专项项目重点研发应用于新一代闪存领域3D NAND PECVD工艺技术及设备，为国家大存储器项目提供专业配套。公司研发的12英寸ALD原子层薄膜沉积设备，在半导体、医疗器材、新能源等领域拥有广泛的应用前景。公司技术产品打破了国际垄断，填补了国内空白，实现了我国在半导体薄膜制造领域技术的快速发展。
    公司拥有国际一流的专家团队，现有十余名海外专家，直接为公司注入了与国际接轨的高科技企业管理模式。公司技术产品拥有100%自主知识产权，现已申请专利近300项，填补了多项国内空白。2017年公司获评为国家知识产权优势企业。通过引进与培训相结合，拓荆目前团队规模近300人，本科及以上学历近90%。
    在国家科技部02重大专项办公室、国家大基金、省市区三级政府的大力支持下，拓荆公司取得了长足的发展。为了满足产业化需求，拓荆公司建立了半导体薄膜设备产业化基地，总建筑面积40000平方米，一期可实现年产100台套生产能力，二期投产将达到年产350台套设备的生产能力，可支撑年产值50亿元。未来拓荆将努力建成世界一流的半导体薄膜设备公司,为世界半导体产业发展做出贡献。