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III-V族化合物半导体材料和器件研究人员

苏州苏纳光电有限公司

  • 公司规模:少于50人
  • 公司性质:民营公司
  • 公司行业:电子技术/半导体/集成电路  通信/电信/网络设备

职位信息

  • 发布日期:2016-12-24
  • 工作地点:苏州-工业园区
  • 招聘人数:2人
  • 学历要求:博士
  • 职位月薪:7000-14000/月
  • 职位类别:半导体技术  工艺工程师

职位描述

职位描述:
苏纳光电与中科院苏州纳米所联合招聘(可进入研究所课题组或者团队控股企业)
一、招聘岗位
    副研究员、助理研究员或博士后
二、岗位条件:
  1、具有理(工)学博士学位;
  2、具有III-V族化合物光电器件(如探测器等)研发背景,有意继续从事该方向的科学研究和产业化工作;
  3、具备科研项目文档编写和管理经验,有较强的英语阅读和写作能力;
  4、具有较强的团队合作意识、责任心和独立开展科研工作的能力。
二、岗位待遇:
  基本工资与福利待遇参照中科院苏州纳米所和国家规定执行,并根据工作业绩,参照苏纳光电企业水平提供相应的绩效、奖金和其他应有激励。
三、应聘方式:
       请应聘者将简历(简历文件名按照“毕业院校-应聘岗位-姓名”命名)、简要介绍通过邮件发送至邮箱:sllu2008@sinano.ac.cn。我们将以邮件或电话的方式通知通过初选的应聘者参加面试。

职能类别: 半导体技术 工艺工程师

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公司介绍

  苏州苏纳光电有限公司依托“中科院苏州纳米所”、“中科院纳米器件与应用重点实验室”的科研成果为技术依托,立足于材料生长技术和器件工艺开发的持续创新,努力在光通信、激光测距、监控与测量、医学成像、红外照明与防伪等产业领域为下游客户带来核心价值。公司重点开展基于金属有机化学气相沉积(MOCVD)、分子束外延(MBE)的红外波段InGaAs PIN/PD/APD及阵列 、InGaAs 短波红外焦平面、近红外F-P/DFB激光器(LD)、垂直腔面发射激光器(VCSEL);Si 基PD/APD;宽禁带(In)GaN、AlInN/GaN量子结构材料的制备;高效、柔性太阳能电池等方面的工作。
  目前公司针对企业、高校和研究所的不同用户,主要提供如下产品:一、InGaAs PIN/PD/APD(λ=1310/1550nm);二、InGaAs F-P激光器(λ=1310/1550nm);三、Si PIN/PD/APD(λ=635/905/1060nm)。公司承接各类GaAs/InP基、GaN、Si基等光电器件的材料设计/生长/测试及相关器件工艺加工等。
  苏纳光电立足于材料生长技术和器件工艺的持续创新,努力在始终遵奉“以客为尊”、“以质为荣”、“持续改进”、“争创品牌”的经营理念;坚持以市场为核心,使电子元器件的市场占有率逐步提高,竭诚欢迎各行业用户莅临参观考察、洽谈合作。

联系方式

  • Email:sllu2008@sinano.ac.cn
  • 公司地址:上班地址:苏州工业园区若水路398号