存储器集成电路设计工程师/IC设计工程师 (职位编号:PRR005)
普冉半导体(上海)有限公司
- 公司规模:50-150人
- 公司性质:民营公司
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2020-12-10
- 工作地点:上海-浦东新区
- 招聘人数:若干人
- 工作经验:在校生/应届生
- 学历要求:本科
- 职位月薪:0.7-2.5万/月
- 职位类别:集成电路IC设计/应用工程师 电路工程师/技术员(模拟/数字)
职位描述
岗位要求
1、 大学本科及以上学历,电子工程、微电子或相关专业;
2、 具有良好的模拟或数字电路基础;
3、 熟练使用各种相关EDA工具;
4、 具有独立分析解决问题的能力;
5、 良好的团队合作精神;
6、 具有EEPROM/Flash Memory产品相关设计或测试经验者优先考虑。
7、 此岗位招收应届毕业生
岗位职责
1、 从事EEPROM/Flash Memory电路设计,包括架构设计、模拟及高压模块设计、控制逻辑设计等;
2、 负责EEPROM/Flash Memory产品的测试评价,跟踪产品的应用及客户技术服务支持工作。
职能类别:集成电路IC设计/应用工程师电路工程师/技术员(模拟/数字)
关键字:集成电路设计
公司介绍
普冉半导体(上海)有限公司是专注于汽车、工业及消费类应用的超低功耗Flash存储器、高安全Flash存储器、高可靠性EEPROM存储器、直流电机驱动及高性能磁传感芯片的无自有晶圆厂半导体设计公司。公司成立于2012年,总部位于上海张江高科技园区,在深圳南山科技园新区设有销售和现场应用服务与支持中心。
作为半导体行业创新者,普冉推出业界最为领先的55nm超低功耗NOR Flash Memory,具备100nA休眠功耗和小于5mA擦写读功耗,广泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家电、太阳能和车载娱乐领域。
新一代110nm非易失性EEPROM存储器具备国内领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗,在智能电网、汽车前装、工业控制领域广泛应用。
普冉配合国内领先半导体企业开发的40-55nm高安全Flash产品也成为国内金融IC产品打破国外垄断的先行者和贡献者。
普冉致力于成为世界领先的利基市场非易失存储器芯片及新型存储器芯片设计公司。
作为半导体行业创新者,普冉推出业界最为领先的55nm超低功耗NOR Flash Memory,具备100nA休眠功耗和小于5mA擦写读功耗,广泛用于IoT、手持、OLED屏、穿戴、安防、PC、家电、太阳能和车载娱乐领域。
新一代110nm非易失性EEPROM存储器具备国内领先的400万次擦写寿命、6KV静电防护能力、极低的工作电流和静态功耗,在智能电网、汽车前装、工业控制领域广泛应用。
普冉配合国内领先半导体企业开发的40-55nm高安全Flash产品也成为国内金融IC产品打破国外垄断的先行者和贡献者。
普冉致力于成为世界领先的利基市场非易失存储器芯片及新型存储器芯片设计公司。
联系方式
- Email:HR@PUYASEMI.COM
- 公司地址:地址:span盛夏路560号