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中天弘宇集成电路有限责任公司（简称：中天弘宇）成立于2018年，总部位于上海浦东新区张江高科技园区内。中天弘宇专注于快闪存储器（Flash Memory）的研发、应用和市场推广领域。
中天弘宇以自主原创的“二次电子倍增注入浮栅“原理为基础，以自主、原创、可控的知识产权专利发明为契机，实现了中国存储器底层技术零的突破，并进一步拓展应用领域及国际市场，为全球数字信息化浪潮提供优质的存储解决方案。
中天弘宇研发成功的新型快闪存储器具有以下突出的特性和前景：
？    完整、自主的知识产权
？    先进、独特的创新成果
？    提升现有闪存规格参数
？    拓展海量数据存储市场
中天弘宇充分运用“二次电子倍增注入浮栅” 的物理现象，并利用其进行了创新结构设计，初步构建了拥有国内、国际完整自主知识产权专利的系列新型高性能快闪存储器产品，实现了中国集成电路存储器领域零的突破。该项发明成果已在中、日、美、韩和中国台湾地区申请了成体系的原创性发明专利，其中多项已获批，另有近百项在审批中。