数字后端工程师
成都锐成芯微科技股份有限公司
- 公司规模:50-150人
- 公司性质:民营公司
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2021-06-04
- 工作地点:成都-高新区
- 招聘人数:3人
- 工作经验:3-4年经验
- 学历要求:本科
- 职位月薪:20-30万/年
- 职位类别:数字后端工程师 可测性设计工程师(DFT)
职位描述
岗位职责:
1、完成数字电路从RTL到GDS的设计,包括综合/静态时序分析/布局布线以及可测试性设计等;
2、完成物理验证,功耗分析与形式验证,基于CPF/UPF功耗验证;
3、完成DFT&ATPG , postMask ECO&FIB,preMask ECO等工作;
4、支持客户SOC集成,以及提交给客户的designKit的质量保障。
职位要求:
1、微电子,电子,通信,自动化专业,本科及以上学历,3年以上工作经验;
2、具备良好的团队协作能力,沟通表达能力;
3、工作认真仔细,具备快速学习能力,严谨的逻辑思维以及喜爱迎接各种挑战;
4、对IC设计领域有基本的了解,具备良好的数字电路/微电子基础知识;
5、熟悉Linux操作,熟悉Perl/shell等脚本语言,熟悉vim/emacs编辑器;
6、熟悉相关EDA工具者优先(Synopsys或Cadence的综合与时序验证工具);
7、了解综合,STA,PR,DFT,噪声分析等相关知识者优先。
职能类别:数字后端工程师可测性设计工程师(DFT)
公司介绍
公司简介
成都锐成芯微科技股份有限公司(以下简称“锐成芯微”),是一家民营股份制科技企业,2011年在成都高新区注册成立,注册资金4000万元。公司总部设于成都,在美国硅谷、台湾新竹、上海、南京分别设有站点。
锐成芯微作为一家专业的半导体知识产权(IP)和应用方案平台的供应商,以实现超低功耗和高性能设计宗旨,面向全球客户提供专业、丰富的超低功耗模拟IP及数模混合IP解决方案和一站式设计服务的集成电路设计企业,覆盖从14nm到350nm的CMOS、BiCMOS、DMOS、HV工艺制程。特别在40nm、55nm、110nm、130nm、180nm等CMOS和Embedded-flash工艺制程上,成功开发了一系列的特色IP,包括:嵌入式非挥发性存储器(eNVM)、高速接口、时钟、数模模数转换、PMU、CMOS传感器等解决方案;同时可提供全面灵活的IP订制化服务,可根据客户的需求量身定制全套解决方案。
公司以IP研发为核心,链接集成电路产业链上下游各类资源,目前已与全球多家晶圆工厂、多家封装、测试公司,多所高校,研究机构建立了战略合作关系,从而形成可为客户提供包括IP服务、解决方案、以及Spec to chip或Spec to system等一站式解决方案。
另,锐成芯微拥有的由美国硅谷团队研发的LogicFlashTM技术,是国内***拥有嵌入式非挥发性存储技术的供应商,在32nm、55nm、65nm、90nm、110nm、130nm逻辑工艺、BCD工艺和HV工艺上,可以实现Multi-programmal存储技术,该技术属于全球首创,擦写次数超过2万次,也是***通过汽车电子Grade 0标准并量产的MTP技术。
公司提供全套超低功耗IoT模拟IP解决方案,NB-IoT芯片功耗降小于2uA,可使电池的使用寿命可以达到10年以上。通过多个IoT极低功耗项目的实战经验的积累,将为全球更多的客户提供极低功耗、高可靠性、全套客制化服务。
成都锐成芯微科技股份有限公司(以下简称“锐成芯微”),是一家民营股份制科技企业,2011年在成都高新区注册成立,注册资金4000万元。公司总部设于成都,在美国硅谷、台湾新竹、上海、南京分别设有站点。
锐成芯微作为一家专业的半导体知识产权(IP)和应用方案平台的供应商,以实现超低功耗和高性能设计宗旨,面向全球客户提供专业、丰富的超低功耗模拟IP及数模混合IP解决方案和一站式设计服务的集成电路设计企业,覆盖从14nm到350nm的CMOS、BiCMOS、DMOS、HV工艺制程。特别在40nm、55nm、110nm、130nm、180nm等CMOS和Embedded-flash工艺制程上,成功开发了一系列的特色IP,包括:嵌入式非挥发性存储器(eNVM)、高速接口、时钟、数模模数转换、PMU、CMOS传感器等解决方案;同时可提供全面灵活的IP订制化服务,可根据客户的需求量身定制全套解决方案。
公司以IP研发为核心,链接集成电路产业链上下游各类资源,目前已与全球多家晶圆工厂、多家封装、测试公司,多所高校,研究机构建立了战略合作关系,从而形成可为客户提供包括IP服务、解决方案、以及Spec to chip或Spec to system等一站式解决方案。
另,锐成芯微拥有的由美国硅谷团队研发的LogicFlashTM技术,是国内***拥有嵌入式非挥发性存储技术的供应商,在32nm、55nm、65nm、90nm、110nm、130nm逻辑工艺、BCD工艺和HV工艺上,可以实现Multi-programmal存储技术,该技术属于全球首创,擦写次数超过2万次,也是***通过汽车电子Grade 0标准并量产的MTP技术。
公司提供全套超低功耗IoT模拟IP解决方案,NB-IoT芯片功耗降小于2uA,可使电池的使用寿命可以达到10年以上。通过多个IoT极低功耗项目的实战经验的积累,将为全球更多的客户提供极低功耗、高可靠性、全套客制化服务。
联系方式
- 公司地址:成都高新区天府五街200号菁蓉广场3号楼A座9楼 (邮编:610041)