南京招聘

？ 致力于开发新的Flash Memory产品

Responsible for new Flash type memory product development.  

？ 负责设计和验证Flash存储产品需要的数字和模拟电路

Design and verification of digital and analog circuits of Flash Memory product.  

？ 通过搭建模型,反标寄生参数,对设计进行评估,验证和优化

Memory Array modeling, simulation, parasitic extraction, performance optimization.  

？ 规划layout布局布线并指导和协助layout工程师完成layout

Chip floorplaning and instruct layout engineers to complete chip layout.  

？ 用业界通用的仿真工具对电路模块和整个芯片进行仿真和验证

Familiar with industry standard simulation tools, and able to verify design at both block and chip level.

？ 不断的更新和完善自身的专业技术知识,成为一个或几个专业领域的专家,并能对其他工程师进行培训

Able to manage and tutor new engineers on all aspects of memory chip design.  

？ 主动和其他部门沟通并寻求建议,确保电路设计的高质量并不断的提高

Good communication skills for communicating with other departments to constantly improve design and product quality.  

？ 致力于改革和创新设计验证方法

Able to quickly introduce new design and verification tools and methodology to development work flow to improve efficiency.

入职要求

？ 优秀的CMOS电路设计基础和器件物理基础

Excellent CMOS circuit design and device fundamentals.

？ 有大规模数模混合电路设计,功能验证和时序分析经验。

Experienced in large scale mixed-mode circuit design, verification and timing analysis.

？ 优秀的思考和解决问题的能力

Good problem solving skills.  

？ 熟悉数模混合仿真工具

Familiar with mixed-mode design and simulation tools and methodologies.

？ 有DRAM相关的设计和验证经验者优先,有存储产品设计经验者优先

Experience with DRAM or memory design and verification.

？ 有低功耗设计的知识和经验者优先

Experience with low-power design methodologies.

？ 有电源布局布线和分析的知识和经验者优先

Experience with chip-level power distribution design.

？ 良好的沟通和协作能力

Good communication skills.  

？ 独立工作,主动创新,快速学习和探索新领域的能力

Self-starter, able to work independently with minimal or no supervision.  

？ 良好的英语听说读写能力

Good English read/write skills.  

？ 接受短期出差工作

Available for short-term business travel.

    江苏时代芯存半导体有限公司（AMS）2016年10月落户***淮安高新技术产业开发区，项目总投资130亿元，由江苏时代全芯存储科技股份有限公司和淮安园兴投资有限公司合资成立，用时11个月完成一期建设，致力于开发及生产搭载最新PCM技术的存储产品。
    公司自2018年3月22日首台设备搬入，进入生产设备调试阶段，2019年8月发布首款基于相变材料的2兆位电擦除可编程只读相变存储器，这是AMS公司发展史上的一件大事，标志着我们打破国外技术垄断，掌握了相变存储器的核心技术并实现量产商业化。
    相变存储器是基于相变材料的新一代存储器产品，也是业界公认的最为成熟的新一代存储技术，该存储器搭载了特殊的相变材料，利用其材料特性相态的变化进行数据存储，数据存储过程中无须进行擦除动作，因此相变存储器的存储速度要比传统的同类型的存储器产品要快千倍，除了在读写速度上的巨大优势外，在产品的稳定性，功耗，抗辐射性能都具有独特的优势，因此可以广泛地运用于工业控制、汽车、机械设备，智能家居，5G网络、消费电子等领域，市场潜力巨大。
    公司未来还将陆续推出大容量系列存储产品，如：高密度相变存储器（3D PCM）、三态内容寻址存储器（TCAM）、智能存储器（Smart Memory）等，更好地满足市场需求。