南京招聘

？ 作为团队成员对完全定制的ASIC进行验证设计和AMS仿真

You will be part of a team that performs verification planning and AMS simulation on full custom ASICs designs

？ 您将对混合信号ASIC进行改进功能验证

You will implement an improve functional verification of mixed-signal ASICs

？ 制定测试计划，测试平台和验证方法以验证微架构和设计

Develop test plans, testbenches, and verification methodologies to verify the microarchitecture and design

？ 执行故障分析和解决方案，覆盖率分析和填充

You will perform failure analysis and resolution, coverage analysis and population

？ 深入了解数字/混合信号建模

In depth knowledge of digital/mixed-signal modelling

？ 开发定向/约束-随机测试生成和门模拟

Develop directed/constraint-random test generation, gate-simulations

？ 执行回归调试的支持以及其他流程/基础架构的开发

Performing regression debug support, and other flow/infrastructure development

入职要求

？ 具有复杂IP，CPU系统和/或SoC设计验证（DV）的经验

Experience in Design Verification (DV) of Complex IP, CPU Systems and/or SoC

？ 具有最新DV方法的经验：正式验证，系统Verilog和UVM，基于组装/ C的验证，混合信号IP验证，AMS等

Experienced in latest DV methodologies: Formal Verification, System Verilog and UVM, Assembly/C-based Verification, Mixed-signal IP Verification, AMS, etc.

？ 经验证的开发和部署新DV方法的能力

Proven ability to develop and deploy new DV methodologies

？ 具有根据功能规范制定DV计划，建立必要的测试平台/基础架构，开发测试和验证设计的经验

Experienced in developing a DV plan based on Functional Specification, build the necessary test bench/infrastructure, develop tests and verify design

？ 优秀的调试技能，熟悉使用行业标准仿真（例如：VCS）和调试工具

Strong debugging skills and familiar with using industry standard simulation (e.g.: VCS) and debug tools

？ 优秀的脚本编写能力

Strong scripting skills

    江苏时代芯存半导体有限公司（AMS）2016年10月落户***淮安高新技术产业开发区，项目总投资130亿元，由江苏时代全芯存储科技股份有限公司和淮安园兴投资有限公司合资成立，用时11个月完成一期建设，致力于开发及生产搭载最新PCM技术的存储产品。
    公司自2018年3月22日首台设备搬入，进入生产设备调试阶段，2019年8月发布首款基于相变材料的2兆位电擦除可编程只读相变存储器，这是AMS公司发展史上的一件大事，标志着我们打破国外技术垄断，掌握了相变存储器的核心技术并实现量产商业化。
    相变存储器是基于相变材料的新一代存储器产品，也是业界公认的最为成熟的新一代存储技术，该存储器搭载了特殊的相变材料，利用其材料特性相态的变化进行数据存储，数据存储过程中无须进行擦除动作，因此相变存储器的存储速度要比传统的同类型的存储器产品要快千倍，除了在读写速度上的巨大优势外，在产品的稳定性，功耗，抗辐射性能都具有独特的优势，因此可以广泛地运用于工业控制、汽车、机械设备，智能家居，5G网络、消费电子等领域，市场潜力巨大。
    公司未来还将陆续推出大容量系列存储产品，如：高密度相变存储器（3D PCM）、三态内容寻址存储器（TCAM）、智能存储器（Smart Memory）等，更好地满足市场需求。