封装工艺工程师
宁波达新半导体有限公司
- 公司规模:50-150人
- 公司性质:外资(欧美)
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2020-10-23
- 工作地点:杭州-余杭区
- 招聘人数:2人
- 工作经验:2年经验
- 学历要求:本科
- 职位月薪:0.5-1万/月
- 职位类别:半导体工艺工程师
职位描述
职位要求:
1、大学本科以上学历,电力电子、集成电路专业优先;
2、半导体封装厂两年以上工作经历,有模块封装经历优先;
3、有钻研精神,能克服并解决生产中遇到的问题;
4、沟通能力强、有较强责任心,具有良好的团队协作精神;
5、熟悉AutoCAD 等绘图软件者优先。
岗位职责:
1、负责封装工艺的改善及维护,编制加工标准,作业指导书,工艺流程图等工艺文件;
2、制定新产品所需的物料计划,协助进行原材料导入;
3、对各个工艺工序进行沟通,了解生产的最新状况及各个工序遇到的问题,并帮助解决问题;
4、协调生产部,安排新产品试制排单和计划,明确生产流程步骤,保证稳定生产;
5、完成工程部经理交办的其他任务。
福利待遇
一天8小时,法定节假日带薪休假,根据业绩考评发放业务提成,按照国家法律法规要求缴纳各类保险和公积金,工作能力优秀者给予股份激励。
工作地点:杭州
薪资范畴:5000~10000元/月
职能类别:半导体工艺工程师
公司介绍
达新半导体有限公司是一家中外合资的高科技公司,注册资金1600万元人民币。公司主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售,并提供相关的应用解决方案。本部设立在浙江省宁波的余姚市,在上海设有设计中心,深圳设有销售办事处。
达新半导体团队拥有多年海内外功率半导体芯片研发和制造经验,创始人具备率先实现中国IGBT芯片量产和销售的产业化经验。公司拥有国际领先的IGBT,MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺技术,建有国内领先的的功率半导体器件测试、应用及可靠性试验室。
在IGBT芯片技术突破基础上,2016年推出多达二十种IGBT芯片,均为国内空白的产品,其中新能源汽车用650V 200A和1200V 200A IGBT二款芯片***次流片产出,采用国际最先进的沟槽型场截止技术,是国内***家开发出这种技术大电流IGBT芯片企业,其技术比比亚迪电动汽车上自产IGBT先进三代,预计2017年下半年定型量产。
公司团队在8寸和6寸晶园制造平台上同时开发成功国际最先进的沟槽型场终止IGBT技术(第五代技术),并开发出600V, 1200V和1700V的 8寸及6寸IGBT芯片,芯片核心指标接近国际最先进的产品指标。 公司具备了从二代技术(平面型NPT),三代技术(平面型FS),四代技术(沟糟型NPT),五代技术(沟糟型FS)全部IGBT技术,8寸和6寸IGBT芯片开发和量产能力。达新能够制造从600V至1700V, 可满足所有大部分应用领域的IGBT产品,达新IGBT达到了国内绝对领先和国际先进水平。
公司秉承“创新、品质、诚信、共赢”的经营理念,寻求产业链各方合作,发挥各方优势,实现互惠共赢,创建中国的IGBT核心产业。
达新半导体团队拥有多年海内外功率半导体芯片研发和制造经验,创始人具备率先实现中国IGBT芯片量产和销售的产业化经验。公司拥有国际领先的IGBT,MOSFET和FRD等功率半导体芯片的设计和工艺技术,建有国内领先的的功率半导体器件测试、应用及可靠性试验室。
在IGBT芯片技术突破基础上,2016年推出多达二十种IGBT芯片,均为国内空白的产品,其中新能源汽车用650V 200A和1200V 200A IGBT二款芯片***次流片产出,采用国际最先进的沟槽型场截止技术,是国内***家开发出这种技术大电流IGBT芯片企业,其技术比比亚迪电动汽车上自产IGBT先进三代,预计2017年下半年定型量产。
公司团队在8寸和6寸晶园制造平台上同时开发成功国际最先进的沟槽型场终止IGBT技术(第五代技术),并开发出600V, 1200V和1700V的 8寸及6寸IGBT芯片,芯片核心指标接近国际最先进的产品指标。 公司具备了从二代技术(平面型NPT),三代技术(平面型FS),四代技术(沟糟型NPT),五代技术(沟糟型FS)全部IGBT技术,8寸和6寸IGBT芯片开发和量产能力。达新能够制造从600V至1700V, 可满足所有大部分应用领域的IGBT产品,达新IGBT达到了国内绝对领先和国际先进水平。
公司秉承“创新、品质、诚信、共赢”的经营理念,寻求产业链各方合作,发挥各方优势,实现互惠共赢,创建中国的IGBT核心产业。
联系方式
- Email:hr@daxin-semi.com
- 公司地址:地址:span仓前镇海曙路9号2号楼