东莞招聘

从事硅基氮化镓外延技术的开发，实现新型的氮化镓电子器件。

本岗位对研发能力有很强的要求，要实现前沿的、创新的器件结构，实现材料性能与器件结构的统一。需要应聘者有良好的研发素养，能够深入探究生长过程中所发生的现象、其产生原因、工艺调控规律等等。

职责描述：

与器件工程师相配合，设计合理的硅上GaN外延结构并实现；

负责材料生长程序的编写与优化，参与常规的材料表征并分析材料的性能，包括：XRD,AFM,翘曲、膜厚、显微、SEM等；

分析材料性能与生长条件的关系，优化材料的结构与性能；

任职要求：

要求具有3年以上的MOCVD GaN生长经验，例如LED生长经验，有硅上GaN生长经验更佳但不要求；

要求应聘者有深入的研究精神和自我驱动力，敢于创新；

有很好的材料学、电子学或物理学背景，能深入分析并解决问题；有利用统计学工具分析数据能力的更佳；

有很好的学习能力和团队合作精神；

良好的职业操守，包括保守公司的机密与维护公司的权益等；

我们提供：

全方位的岗位培训；

具有市场竞争力的报酬；

发展前景广阔的氮化镓电子器件方向和富有趣味与挑战的工作内容；

优越的股权激励计划；

广东致能科技有限公司由海外归国专家创办，下设芯片子公司徐州致能半导体有限公司（位于徐州市高新区电子产业园内），公司致力于新型硅基氮化镓芯片及其共封装器件的研发生产，新型氮化镓功率芯片是第三代半导体，具有能耗低、速度快等优点，是支撑消费电子、电动汽车、5G通讯等产业未来发展的核心基础部件。公司具有一流的团队和创新的突破技术，除了提供具有市场竞争力的薪酬，更有股权激励计划实现团队与公司的共赢！加入我们，共创全球一流的氮化镓电子器件企业！