长沙招聘

岗位职责：
1、 完成产品前期规划和设计任务，编写项目研发报告和项目解决方案；
2、 根据客户或者产品需求，完成产品设计，仿真，流片和测试；
3、 负责客户或者内部需求调研和反馈，完成产品性能对接；
4、 配合研发人员完成产品流片异常分析，测试报告整理，问题发现及跟踪。
任职要求：
1.熟悉功率器件的结构布局，版图设计和仿真优化。以SiC经验优先，其他Si基IGBT，MOSFET亦可；
2.熟悉功率器件的制程，流片和测试，能够根据流片或者测试异常，分析制程原因。以功率器件（含IGBT，MOSFET）优先，其他半导体经验亦可；
3.熟悉功率器件的系统应用，包含SiC MOSFET/BJT/JFET驱动设计和调试，系统应用，仿真建模（Spice Module），以SiC器件应用经验优先；
4.有较强的文档撰写能力和清晰的逻辑思维，包含专利，文章，项目申报等；
5.良好的英文读写水平，能够有独立查阅英文文献资料的能力；
6.需要较强的团队协助能力和语言表达能力。具备良好的学习能力，责任意识较强，能够承担较大的工作压力；
7.本科及以上学历，5年以上半导体行业研发经验，物理和微电子专业。

湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造、及服务。湖南三安项目总投资160亿，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。第三代半导体的研发及产业化项目包括长晶（SiC）——衬底制作（SiC）——外延生长——芯片制备——封装产业链，研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET；大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片、GaN功率器件封装三极管。