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EFA电性失效分析工程师(J10247)

湖南三安半导体有限责任公司

  • 公司规模:1000-5000人
  • 公司性质:民营公司
  • 公司行业:电子技术/半导体/集成电路

职位信息

  • 发布日期:2023-11-27
  • 工作地点:长沙·岳麓区
  • 工作经验:5-7年
  • 学历要求:本科
  • 职位月薪:1-1.8万·13薪
  • 职位类别:失效分析工程师(FA)

职位描述

工作职责:
1、负责EFA相关工作,主要工作内容为InGaAs(包括但不限)操作及分析,总结;
2、与相关部门进行排程协调;
3、电性设备的日常维护;
4、根据样品失效现象,提供分析方案、并反馈、执行与汇报。
任职资格:
1、本科以上学历,材料类或者半导体相关专业均可;
2、5年以上半导体行业电性分析经验,熟悉各种IV curve曲线判断,热点现象初步判断;
3、了解功率器件、MOS工作原理,了解SiC/GaN半导体者优先,熟悉MOS测试方案/测试手册者优先;
4、有样品交接,制备经验;
5、InGaAS、Thermal、OBIRCH及探针台熟练操作,会操作电镜(SEM、FIB,STEM制备);
6、良好的内外沟通能力,积极、团队合作精神。
职能类别:
失效分析工程师(FA)

公司介绍

湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司(独立核算),业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造、及服务。湖南三安项目总投资160亿,总占地面积1000亩,主要建设具有自主知识产权的衬底(碳化硅)、外延、芯片及封装产业生产基地,依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。第三代半导体的研发及产业化项目包括长晶(SiC)——衬底制作(SiC)——外延生长——芯片制备——封装产业链,研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET;大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片、GaN功率器件封装三极管。

联系方式

  • 公司地址:地址:span长沙高新开发区岳麓西大道2450号环创园B1栋2405房
  • 电话:13378032180