IC后端支撑工程师
楠菲微电子
- 公司规模:50-150人
- 公司性质:民营公司
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2020-12-27
- 工作地点:长沙-开福区
- 招聘人数:若干人
- 工作经验:3-4年经验
- 学历要求:本科
- 职位月薪:1.5-3万/月
- 职位类别:集成电路IC设计/应用工程师
职位描述
技能要求:
VERILOG/VHDL语言,PERL/TCL语言,芯片级的综合,静态时序分析,等效性分析,IBM/TSMC流片经验
岗位职责:
1. 研究相应的工艺库中逻辑单元和相关IP的行为和性能,对芯片进行早期布局规划,并反馈给架构设计人员;
2. 按照计划完成芯片的综合环境、一致性检查(formal check)环境搭建以及网表提交,跟进静态时序分析 (STA)情况,对芯片的面积, 功耗和时序进行综合评估和优化, 并反馈给架构设计人员和代码设计人员进行优化;
3. 协助RTL设计人员做好RTL代码的QA;
4. 时钟树和复位信号的规划,跨时钟域信号分析,片内测试设计;
5. 负责timing signoff和lower power Flow;
6. 跟踪芯片投片后的质量,协助进行芯片的失效性分析;
7. 协助硬件工程师进行板级的信号完整性分析。
任职资格:
1.熟悉verilog/VHDL语言,熟练掌握Perl/Tcl等脚本语言;
2.精通主流综合工具进行芯片级的综合和时序分析、优化,能够进行跨时钟域的分析;
3.熟悉静态时序分析工具和等效性分析工具;
4.有芯片后端或接口人工作经验, 以及主流厂家(IBM,TSMC, UMC, SMIC, Global Foundary)的流片经验。
职能类别:集成电路IC设计/应用工程师
公司介绍
楠菲微电子有限公司总部位于深圳市高新科技园区,楠菲微电子是一家创新驱动的精英企业,十余年来,专业从事数据中心互连、网络通信和智能物联网集成电路的研发、生产、销售和服务。其产品覆盖HPC、路由、交换、物联网等领域,能够为运营商、企业和消费者提供有竞争力的综合解决方案和服务。
三
公司在深圳、成都、长沙、常州设有研发和生产机构,是国内极少数同时掌握了通用以太网和数据中心交换芯片系统架构、核心路由、交换设备硬件架构、通信协议栈以及相关芯片设计、量产能力的企业。公司在数据中心互连、数据中心融合网络、低延迟高阶交换网络、网络处理器、以太网交换、高速IO以及智能物联网芯片方面拥有核心技术。公司从90nm到14nm工艺,推出多个产品系列,量产十余款芯片,有力推进了我国高端网络通信芯片的发展。
楠菲公司始终坚持“合作、开放、共赢”的理念,运用网络通信、数据中心互连和集成电路领域的专业经验,为社会提供创新性、客户化的产品和服务,以此帮助人们消除数字鸿沟,创造更加自由舒适的未来生活。
企业历程
—— 2019年,两款14nm工艺高端芯片,ES8000系列10Tbps级的高阶、高速、低延迟交换互连芯片,支持25G/50G/100G/200G/400G 以太网交换。PEX464系列支持PCIE4.0和25G/50G/100G/200G/400G以太接口高端智能NIC芯片。
—— 2018年,14nm工艺,10Tbps级的高阶、高速、低延迟交换互连芯片组,支持25G/50G/100G/200G/400G 以太网交换,支持PCIE4.0接入。55nm工艺,集成度更高的Macbee/BLE多模智能物联网SOC芯片。
—— 2017年,28nm工艺,Groot系列640Gbps高密度万兆和四万兆以太网交换芯片,用于汇聚、核心层及数据中心交换机;200Gbps千兆以太网交换芯片,用于接入、汇聚层交换机
—— 2016年,Macbee极低功耗低成本无线智能网络芯片,覆盖照明、安防、电工、家电、机电等智能家居和物联网行业市场。
—— 2015年,28nm投片成功3.4Tbps Galaxy-Fabric/NIC融合网络芯片组,提供高速xFabric、100G以太网和PCIE3.0交换、接入能力,在业界率先实现一套网络连接计算、存储、IO和网络节点
—— 2014年,28nm工艺量产Galaxy-III互连交换芯片组,单芯片交换能力7.2Tbps,已在数据中心集群和路由器中大规模部署。
—— 2013年,45nm工艺量产Galaxy-II互连交换芯片组,单端口速率112G,在数据中心集群和路由器核心Fabric领域获得大量使用。
—— 2009年,90nm工艺推出Galaxy-I互连交换芯片组,单端口速率80G,支持RDMA卸载和扁平化交换,端口速率2倍于当时最快的商用网络Infiniband。
—— 2007年,成立微电子事业部,大力发展网络互连集成电路芯片业务。
三
公司在深圳、成都、长沙、常州设有研发和生产机构,是国内极少数同时掌握了通用以太网和数据中心交换芯片系统架构、核心路由、交换设备硬件架构、通信协议栈以及相关芯片设计、量产能力的企业。公司在数据中心互连、数据中心融合网络、低延迟高阶交换网络、网络处理器、以太网交换、高速IO以及智能物联网芯片方面拥有核心技术。公司从90nm到14nm工艺,推出多个产品系列,量产十余款芯片,有力推进了我国高端网络通信芯片的发展。
楠菲公司始终坚持“合作、开放、共赢”的理念,运用网络通信、数据中心互连和集成电路领域的专业经验,为社会提供创新性、客户化的产品和服务,以此帮助人们消除数字鸿沟,创造更加自由舒适的未来生活。
企业历程
—— 2019年,两款14nm工艺高端芯片,ES8000系列10Tbps级的高阶、高速、低延迟交换互连芯片,支持25G/50G/100G/200G/400G 以太网交换。PEX464系列支持PCIE4.0和25G/50G/100G/200G/400G以太接口高端智能NIC芯片。
—— 2018年,14nm工艺,10Tbps级的高阶、高速、低延迟交换互连芯片组,支持25G/50G/100G/200G/400G 以太网交换,支持PCIE4.0接入。55nm工艺,集成度更高的Macbee/BLE多模智能物联网SOC芯片。
—— 2017年,28nm工艺,Groot系列640Gbps高密度万兆和四万兆以太网交换芯片,用于汇聚、核心层及数据中心交换机;200Gbps千兆以太网交换芯片,用于接入、汇聚层交换机
—— 2016年,Macbee极低功耗低成本无线智能网络芯片,覆盖照明、安防、电工、家电、机电等智能家居和物联网行业市场。
—— 2015年,28nm投片成功3.4Tbps Galaxy-Fabric/NIC融合网络芯片组,提供高速xFabric、100G以太网和PCIE3.0交换、接入能力,在业界率先实现一套网络连接计算、存储、IO和网络节点
—— 2014年,28nm工艺量产Galaxy-III互连交换芯片组,单芯片交换能力7.2Tbps,已在数据中心集群和路由器中大规模部署。
—— 2013年,45nm工艺量产Galaxy-II互连交换芯片组,单端口速率112G,在数据中心集群和路由器核心Fabric领域获得大量使用。
—— 2009年,90nm工艺推出Galaxy-I互连交换芯片组,单端口速率80G,支持RDMA卸载和扁平化交换,端口速率2倍于当时最快的商用网络Infiniband。
—— 2007年,成立微电子事业部,大力发展网络互连集成电路芯片业务。
联系方式
- 公司地址:地址:span同诚路8号青羊工业园总部基地B区11栋