长沙招聘

  岗位职责：

1、负责SiC长晶专案计划、文件制定、原物料评估。

2、负责SiC长晶量产工艺调试和优化； 

3、负责SiC长晶量产工艺成本的降低以及生产过程中的异常处理；

4、负责专利撰写与期刊文献发表；

5、负责日常长晶良率的改善与提升。

 岗位要求：

1、 博士以上学历，凝聚态物理、半导体物理、材料、物理、化学、微电子等相关专业。

2、 具有SiC，III-V族，II-VI族，单晶硅等晶体生长或外延等相关经验。

3、 工作主动负责、态度积极、良好沟通能力、注重团队合作精神。

4、 具备一定的学习能力和自我管理能力，可独立完成交代任务。

5、 具备英语沟通交流与书写能力。

6、 具有专利撰写与期刊文献发表能力。

湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造、及服务。湖南三安项目总投资160亿，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。第三代半导体的研发及产业化项目包括长晶（SiC）——衬底制作（SiC）——外延生长——芯片制备——封装产业链，研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET；大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片、GaN功率器件封装三极管。