长沙招聘

岗位职责：

1、核心职责：新产品开发 

2、负责项目：

a、SiC二极管新产品开发，包括MPS工艺平台开发、减薄工艺平台开发 、3300V以上电压等级的二极管开发；   

b、SiC MOSFET产品开发，包括平面DMOSFET开发、栅氧工艺开发、欧姆合金体系开发、钝化介质开发等；然后进行Trench MOSFET开发；

c、碳化硅模块驱动解决方案制定；

岗位要求：

1、学历要求：硕士学位及以上

2、专业要求：微电子、物理学

3、工作经验：具备5年以上碳化硅功率器件开发经验优先（硅基IGBT和MOSFET也可以）

4、身体状况：良好

5、专业知识：精通SiC MOSFET的开发流程，对SiC MOSFET栅氧工艺、欧姆工艺、钝化介质工艺有深刻的认识；

6、英语：4级及以上

7、能力要求：执行能力强，专注，工作认真负责，态度积极主动，不推诿，能够带团队作战；

湖南三安半导体有限责任公司是上市公司三安光电股份有限公司的全资子公司（独立核算），业务涵盖碳化硅、氮化镓化合物半导体功率芯片的研发、设计、制造、及服务。湖南三安项目总投资160亿，总占地面积1000亩，主要建设具有自主知识产权的衬底（碳化硅）、外延、芯片及封装产业生产基地，依托全产业链及大规模生产布局将使得公司节能芯片产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场领先竞争优势。第三代半导体的研发及产业化项目包括长晶（SiC）——衬底制作（SiC）——外延生长——芯片制备——封装产业链，研发、生产及销售6吋SiC导电衬底、4吋半绝缘衬底、SiC二极管外延、SiC MOSFET外延、SiC二极管芯片、SiC MOSFET芯片、碳化硅器件封装二极管、碳化硅器件封装MOSFET；大电流200V、增强型650V等代表性GaN功率器件三极管外延、芯片、GaN功率器件封装三极管。