GaN外延研发工程师-H9194D
华润微电子有限公司—功率器件事业群
- 公司规模:1000-5000人
- 公司性质:已上市
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2024-02-01
- 工作地点:重庆·沙坪坝区
- 工作经验:无需经验
- 学历要求:硕士
- 职位月薪:1-2万·15薪
- 职位类别:GaN外延研发工程师-H9194D
职位描述
工作职责:
1、根据G氮化镓器件外延结构设计进行外延生长工艺的研发;
2、参与MOCVD设备的Move in、二次配、安装和设备验收,在要求的时间内及时释放产能并保证新设备达到工艺要求;
3、针对氮化镓功率器件需要满足的电性和材料质量要求,负责新结构的 Recipe的开发,协助MOCVD设备工程师生产;
4、根据材料测试(HRXRD\AFM\PL\Hall\SIMS等)分析与器件的电性反馈,进行外延工艺的迭代优化;
5、负责GaN外延设备的国产化调研、demo、选型与国产化验证;
6、负责进行外延生长产生的数据、工艺技术文件等资料的整理、保管与定期归档工作;
7、协助进行相关的国内外专利的撰写与申请;
任职资格:
1、物理学、凝聚态物理、半导体材料、半导体光电子器件、微电子学与固体电子学等相关专业,硕士研究生及以上学历(接受应届生);
2、有MOCVD使用及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长经验,有硅上氮化镓生长经验优先考虑;
3、熟悉氮化镓相关的材料与器件测试(AFM, HRXRD, PL, SEM, TEM, SIMS, CV, Hall等);
4、了解MOCVD生长原理、机台维护和操作,能进行设备的使用维护和工艺异常情况处理;
5、了解氮化镓功率器件工艺制作流程,器件表征方法及可靠性评价手段;
6、具备英语沟通交流与书写能力;
7、良好的学习能力、沟通能力、抗压能力以及团队合作精神GaN外延研发工程师
薪资面议
1、根据G氮化镓器件外延结构设计进行外延生长工艺的研发;
2、参与MOCVD设备的Move in、二次配、安装和设备验收,在要求的时间内及时释放产能并保证新设备达到工艺要求;
3、针对氮化镓功率器件需要满足的电性和材料质量要求,负责新结构的 Recipe的开发,协助MOCVD设备工程师生产;
4、根据材料测试(HRXRD\AFM\PL\Hall\SIMS等)分析与器件的电性反馈,进行外延工艺的迭代优化;
5、负责GaN外延设备的国产化调研、demo、选型与国产化验证;
6、负责进行外延生长产生的数据、工艺技术文件等资料的整理、保管与定期归档工作;
7、协助进行相关的国内外专利的撰写与申请;
任职资格:
1、物理学、凝聚态物理、半导体材料、半导体光电子器件、微电子学与固体电子学等相关专业,硕士研究生及以上学历(接受应届生);
2、有MOCVD使用及Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料生长经验,有硅上氮化镓生长经验优先考虑;
3、熟悉氮化镓相关的材料与器件测试(AFM, HRXRD, PL, SEM, TEM, SIMS, CV, Hall等);
4、了解MOCVD生长原理、机台维护和操作,能进行设备的使用维护和工艺异常情况处理;
5、了解氮化镓功率器件工艺制作流程,器件表征方法及可靠性评价手段;
6、具备英语沟通交流与书写能力;
7、良好的学习能力、沟通能力、抗压能力以及团队合作精神GaN外延研发工程师
薪资面议
公司介绍
功率器件事业群(Power Device Business Group,简称PDBG)是华润微电子旗下全面负责功率器件及模块的业务单元。PDBG运用以产品线为基础的业务组织模式,聚焦功率器件业务领域,通过提供自主品牌的高可靠性、高性能功率器件产品、模块和系统应用方案与服务,持续为客户创造价值。
PDBG旗下拥有CRMICRO、华晶、IPS等多个功率器件自主品牌,自主开发的SGT MOS、SJ MOS、SBD、FRD、IGBT工艺平台及相应模块和系统应用方案技术水平处于国内领先;与此同时,PDBG正在积极布局第三代半导体材料GaN、SiC等器件产品。公司产品面向消费电子、通信电子、工业电子、医疗电子、汽车电子等市场的电机、电池、电源三大应用领域,广泛应用于通用开关电源、手机快充、白色家电、电动车、电动园林工具、电焊机、UPS、变频器、充电桩、太阳能光伏以及工控和汽车电子等细分市场。
PDBG将秉承创业、创新的精神,致力于打造中国功率器件著名品牌。
功率器件事业群主要产品线:MOSFET、IGBT、BJT&DIODES、系统方案。
公司联系人及地址:
无锡:章***,电话:0510-81806051,邮箱:zp@hj.crmicro.com,地址:无锡市梁溪路14号
重庆:唐***,电话:023-89865115,邮箱:CRMIC_CQ_HR@cq.crmicro.com,地址:重庆市沙坪坝区西永大道25号
PDBG旗下拥有CRMICRO、华晶、IPS等多个功率器件自主品牌,自主开发的SGT MOS、SJ MOS、SBD、FRD、IGBT工艺平台及相应模块和系统应用方案技术水平处于国内领先;与此同时,PDBG正在积极布局第三代半导体材料GaN、SiC等器件产品。公司产品面向消费电子、通信电子、工业电子、医疗电子、汽车电子等市场的电机、电池、电源三大应用领域,广泛应用于通用开关电源、手机快充、白色家电、电动车、电动园林工具、电焊机、UPS、变频器、充电桩、太阳能光伏以及工控和汽车电子等细分市场。
PDBG将秉承创业、创新的精神,致力于打造中国功率器件著名品牌。
功率器件事业群主要产品线:MOSFET、IGBT、BJT&DIODES、系统方案。
公司联系人及地址:
无锡:章***,电话:0510-81806051,邮箱:zp@hj.crmicro.com,地址:无锡市梁溪路14号
重庆:唐***,电话:023-89865115,邮箱:CRMIC_CQ_HR@cq.crmicro.com,地址:重庆市沙坪坝区西永大道25号
联系方式
- 公司地址:无锡市滨湖区梁溪路14号 (邮编:214061)
- 联系人:hr
- 电话:15998989942