重庆招聘

①负责paper work的部分,譬如撰写专利(须以公司名义发表),也要注意其他公司的专利发表状况；

②关注MOCVD新技术或新材料paper并定期汇报(1个月1次)、

③一周至少在大足厂区工作2天以上

④一年须写出至少2篇专利paper

⑤申请与执行当地政府或国家的科研计划

要求：

①电子,电机,材料,化学,化工,物理,光电等理工科系

②研究内容须与外延片(GaN on silicon or GaN on SiC),第三代化合物半导体相近

③博士班二年级以上且通过大部分资格考

    聚力成半导体有限公司(GLC)，团队由国内外各大知名半导体公司华籍专家组成，旨在采用GaN核心技术以实现电力电子与射频领域的高速革命。

    高开关频率与高能效相结合，则电力系统可以在充电速度，功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力，基于这些技术，可在芯片生产、封测服务实现这一革命，该功率IC预估可将开关速度提高100倍，同时将节能提高40%或更多。
    
    在电力电子领域，GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力，实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。

    在微波射频领域，GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力，技术团队在射频芯片生产工艺的开发，有多年丰富经验，未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。
    
    目前，GLC於重庆市大足区建设一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂，现今外延片已进入量产阶段, 整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线，总投资约50亿人民币。
    
    GLC以 "坚持", "务实", "敏捷", "品质", "承诺"五个核心价值来创造公司的文化，成为客户值得信赖的国际性第三代化合物半导体制造企业。

公司地址：
重庆市江北区创富路3号科技金融中心2号楼6层
重庆市大足区高新技术产业开发区
江苏省盐城市盐都区盐渎路900号盐城国家高新区创新中心A栋602室