设备工程师半导体
聚力成半导体(重庆)有限公司
- 公司规模:150-500人
- 公司性质:外资(非欧美)
- 公司行业:电子技术/半导体/集成电路
职位信息
- 发布日期:2020-03-16
- 工作地点:重庆-大足区
- 招聘人数:2人
- 工作经验:5-7年经验
- 学历要求:大专
- 职位月薪:0.6-1.2万/月
- 职位类别:设备主管 工程/设备工程师
职位描述
岗位概述:
1、MOCVD磊晶机台生产良率提升与改善
2、量测设备机台维护与管理3、设备各项备件,文件管理4、设备副工程师技术训练
工作内容:
1、参与新机台设备的调试
2、负责设备故障排除并分析故障原因及进行改善以降低故障发生率
3、负责设备保养规范的制定及更新,并计划实施
4、学习工艺流程,并分析、报告、解决制程过程中设备产生的问题
5、配合完成部门安排的其他事事务
任职资格:
1、大专及以上学历,机电、电子、自动控制、材料、半导体、微电子等相关专业。
2、良好的沟通和协调能力。
3、有外延生产设备Aixtron 及相关量测设备维修保养相关经验。
4、吃苦耐劳、责任心强、工作踏实严谨、积极主动。
5、能适应轮班及夜班。
公司介绍
聚力成半导体有限公司(GLC),团队由国内外各大知名半导体公司华籍专家组成,旨在采用GaN核心技术以实现电力电子与射频领域的高速革命。
高开关频率与高能效相结合,则电力系统可以在充电速度,功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力,基于这些技术,可在芯片生产、封测服务实现这一革命,该功率IC预估可将开关速度提高100倍,同时将节能提高40%或更多。
在电力电子领域,GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力,实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。
在微波射频领域,GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力,技术团队在射频芯片生产工艺的开发,有多年丰富经验,未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。
目前,GLC於重庆市大足区建设一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂,现今外延片已进入量产阶段, 整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线,总投资约50亿人民币。
GLC以 "坚持", "务实", "敏捷", "品质", "承诺"五个核心价值来创造公司的文化,成为客户值得信赖的国际性第三代化合物半导体制造企业。
公司地址:
重庆市江北区创富路3号科技金融中心2号楼6层
重庆市大足区高新技术产业开发区
江苏省盐城市盐都区盐渎路900号盐城国家高新区创新中心A栋602室
高开关频率与高能效相结合,则电力系统可以在充电速度,功率密度和成本降低方面实现显着改善。GLC核心技术团队拥有硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片、碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延片的开发及生产能力,基于这些技术,可在芯片生产、封测服务实现这一革命,该功率IC预估可将开关速度提高100倍,同时将节能提高40%或更多。
在电力电子领域,GLC具备开发6英寸650V/100V硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片技术能力,实现650V/15A硅基氮化镓功率器件的生产工艺。
在微波射频领域,GLC同样具有研发碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)外延材料的技术能力,技术团队在射频芯片生产工艺的开发,有多年丰富经验,未来产品将定位为射频通讯和射频能量市场。
目前,GLC於重庆市大足区建设一期硅基氮化镓(GaN-on-Si)外延片工厂,现今外延片已进入量产阶段, 整个项目计划建成年产能12万片的氮化镓外延片产线和年产能36万片的氮化镓芯片生产和封测产线,总投资约50亿人民币。
GLC以 "坚持", "务实", "敏捷", "品质", "承诺"五个核心价值来创造公司的文化,成为客户值得信赖的国际性第三代化合物半导体制造企业。
公司地址:
重庆市江北区创富路3号科技金融中心2号楼6层
重庆市大足区高新技术产业开发区
江苏省盐城市盐都区盐渎路900号盐城国家高新区创新中心A栋602室
联系方式
- 公司地址:地址:br重庆市江北区创富路3号科技金融中心2号楼6层